BSC057N08NS3 G的供应商，BSC057N08NS3 G规格参数，BSC057N08NS3 G的PDF资料

BSC057N08NS3 G /MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC057N08NS3 G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:4.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:56 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:114 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

晶体管类型:1 N-Channel

类型:OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:40 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:BSC057N08NS3GATMA1 BSC57N8NS3GXT SP000447542

单位重量:100 mg

BSC057N08NS3 G

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市威雅利发展有限公司	BSC057N08NS3 G	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市芯幂科技有限公司	BSC057N08NS3 G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	BSC057N08NS3 G	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	BSC057N08NS3 G	华强北都会轩2601	0755-23903154 13430590551	杨晓芳	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	BSC057N08NS3 G	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	BSC057N08NS3 G	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BSC057N08NS3 G	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市坤融电子有限公司	BSC057N08NS3 G	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
集好芯城	BSC057N08NS3 G	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
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集好芯城	BSC057N08NS3 G	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	BSC057N08NS3 G	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市凌特半导体科技有限公司	BSC057N08NS3 G	广东省深圳市华康大夏2栋210-219室	0755-82714723 13923432237	谢先生	询价
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深圳和润天下电子科技有限公司	BSC057N08NS3 G	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价

BSC057N08NS3 G及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
BSC057N08NS3 G	MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3	Infineon Technologies		584.69 Kbytes	共9页		无
BSC057N08NS3 G	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A,100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.5V @ 73uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道	Infineon(英飞凌)		587.28 Kbytes	共9页		无

BSC057N08NS3 G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
ChipOneStop	BSC057N08NS3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH	1+:￥9.19 10+:￥7.42 100+:￥5.91 500+:￥5.91 1000+:￥5.5199 2500+:￥5.07 5000+:￥5.02 10000+:￥4.83 25000+:￥4.81+:￥10.44 10+:￥9.41 25+:￥8.52015+:￥4.71 50+:￥4.36 100+:￥4.23 200+:￥4.05 500+:￥3.79 1000+:￥3.6899
element14 e络盟电子	BSC057N08NS3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH	1+:￥9.19 10+:￥7.42 100+:￥5.91 500+:￥5.91 1000+:￥5.5199 2500+:￥5.07 5000+:￥5.02 10000+:￥4.83 25000+:￥4.81+:￥10.44 10+:￥9.41 25+:￥8.5201
Mouser 贸泽电子	BSC057N08NS3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH	1+:￥9.19 10+:￥7.42 100+:￥5.91 500+:￥5.91 1000+:￥5.5199 2500+:￥5.07 5000+:￥5.02 10000+:￥4.83 25000+:￥4.8
Mouser 贸泽电子	BSC057N08NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥14.6787 10:¥12.4526 100:¥9.9892 500:¥8.7575 1,000:¥7.2659 5,000:¥7.2659
立创商城	BSC057N08NS3 G	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A,100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.5V @ 73uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道	1+:￥10.3 200+:￥3.99 500+:￥3.85 1000+:￥3.78

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