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BSC057N08NS3 G /MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3 G的规格信息
BSC057N08NS3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:4.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:56 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:114 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

晶体管类型:1 N-Channel

类型:OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:40 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:BSC057N08NS3GATMA1 BSC57N8NS3GXT SP000447542

单位重量:100 mg

供应商BSC057N08NS3 G
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深圳市威雅利发展有限公司BSC057N08NS3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSC057N08NS3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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集好芯城BSC057N08NS3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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BSC057N08NS3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A,100A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:3.5V @ 73uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO587.28 Kbytes共9页BSC057N08NS3 G的PDF下载地址
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BSC057N08NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH1+:¥9.19
10+:¥7.42
100+:¥5.91
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Mouser 贸泽电子
BSC057N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 31:¥14.6787
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BSC057N08NS3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A,100A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:3.5V @ 73uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥10.3
200+:¥3.99
500+:¥3.85
1000+:¥3.78